با توجه به وب سایت Xtech Nikkei، هیدفومی میازاکیرئیس فناوری Kioxia طی سخنانی در هفتاد و دومین نشست بهار انجمن فیزیک کاربردی در دانشگاه توکیو از برنامه شرکت خود برای تولید انبوه حافظه های NAND سه بعدی با بیش از 1000 لایه تا سال 2031 خبر داد.
افزایش تعداد لایه های فعال در تراشه های NAND سه بعدی بهترین راه برای افزایش ظرفیت ذخیره سازی است. به همین دلیل تمامی سازندگان این نوع تراشه ها سعی می کنند هر 1.5 تا 2 سال یکبار تعداد لایه ها را افزایش دهند و نسل های جدیدی از حافظه ها را معرفی کنند.
توسعه هر نسل از تراشه های NAND سه بعدی چالش های فنی خود را دارد. سازندگان حافظه باید اندازه سلول های حافظه (افقی و عمودی) را کاهش دهند و در عین حال تعداد لایه ها را افزایش دهند. این فرآیند مستلزم استفاده از مواد جدید در هر نسل است که مشکل بزرگی برای واحد تحقیق و توسعه است.
بهترین حافظه NAND سه بعدی Kioxia، نسل هشتم BiCS، از 218 لایه فعال و یک رابط 3.2 گیگابایتی استفاده می کند و اولین بار در مارس 2023 (مارس 1401 و آوریل 1402) معرفی شد. این نسل از حافظه NAND 3D Kioxia از معماری نوآورانه CBA استفاده می کند.
تولید جداگانه سلول های حافظه و مدارهای جانبی به سازندگان تراشه های NAND سه بعدی اجازه می دهد تا از فناوری پیشرفته برای هر قطعه استفاده کنند. این راه حل مزایای بیشتری را برای ارمغان به ارمغان می آورد، به خصوص با توسعه صنعت و استفاده از روش هایی مانند انباشته رشته ها که قطعا برای حافظه های 3 بعدی NAND 1000 لایه استفاده می شود.
سامسونگ همچنین در تلاش است تا به تولید انبوه حافظه 1000 لایه سه بعدی NAND دست یابد و باید دید کدام شرکت زودتر از دیگری به این هدف دست خواهد یافت.